在半導體領域，碳化硅因其高導熱性、高崩潰電場強度和最高電流密度，被視為替代硅的材料，特別是在半導體高功率元件的應用中。

碳化硅MOSFET和SBD結合的功率模塊在光伏發電應用中，能夠大幅提升轉換效率，降低能量損耗，延長設備循環壽命，降低生產成本。

在5G基建、新能源汽車充電樁、大數據中心、工業互聯網和特高壓等領域，碳化硅器件的應用可以提升電源整體效率，提高功率密度，降低成本。

碳化硅在新能源汽車行業中的應用尤為突出。

使用碳化硅功率器件有助于實現電力電子驅動系統輕量化、高效化，廣泛應用于主驅逆變器、OBC、DC/DC轉換器和非車載充電樁等關鍵部件，可減輕汽車重量，提升續航里程，減少電控系統體積。

此外，碳化硅在航空航天、醫療、儲能、軍工等領域也有廣泛應用。

例如，碳化硅纖維制備的SiC/SiC復合材料在航空發動機上的應用，可以替代高溫合金，提高耐熱性能。

碳化硅X射線探測器在醫療領域的應用，有助于提高疾病診斷效率和治療效果。